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IXFN110N60P3中文资料

IXFN110N60P3图片

IXFN110N60P3外观图

  • 大小:119KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:Polar3™ HiPerFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:56 毫欧 @ 55A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:245nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:18000pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1500W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-227-4
  • 供应商设备封装:SOT-227B
  • 包装:管件

IXFN110N60P3供应商

更新时间:2023-03-15 00:32:51
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